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出版部門 TOP  >  雑誌  >  固体物理  >  「固体物理」&「金属物理セミナー」 別冊特集号(1993.4)

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「固体物理」&「金属物理セミナー」 別冊特集号 (1993.4)


電子励起による非平衡固体ダイナミックス ――新物質科学の創出に向けて―― 完売
編集責任者:篠塚雄三・吉田 博
定価 4,320円(本体価格 4,000円+税8%)
B5判・216ページ
序文 篠塚雄三・吉田 博
T.総論 電子励起による非平衡固体の世界 萱沼洋輔・篠塚雄三
局所密度汎関数法の成功と限界 押山 淳
励起電子はどのようにして格子を歪ませ,安住の巣を作るか? ――低次元系における特異性住 斉
U.イオン性結晶 アルカリハライドの光誘起欠陥生成 神野賢一・谷村克己
SR光によるアルカリハライドからの原子放出 鎌田雅夫・広瀬サユミ
ハロゲン銀微結晶の潜像形成過程 神前 熈
V.アモルファス半導体
アモルファスシリコンの光誘起構造変化 山崎 聡・田中一宜・磯谷順一
カルコゲナイドガラスの光誘起構造変化 田中啓司・川口 健
アモルファス半導体の光誘起原子移動 ――フォトドーピングと光誘結晶化井上恒一・松田 理・邑瀬和生
アモルファスC:H膜の光誘起効果 打木久雄・飯田誠之
SiO2の電子励起誘起欠陥生成 谷村克己・伊藤憲昭
W.有機物,高分子 緩和励起子凝縮としての光誘起相転移 豊沢 豊
有機固体中での光誘起相転移 腰原伸也・十倉好紀
フォトクロミック高分子の光構造変化 入江正浩
X.半導体点欠陥 非平衡ドーピングと半導体中不純物の準安定性 村上浩一
GaAsのEL2 田島道夫
AlGaAs中のDXセンター 望月康則・水田正志
ワイドギャップ半導体のp型ドーピングと電子励起による新物質科学 吉田 博・佐々木泰造・小口多美夫
Y.半導体での転位・欠陥反応
V-X族発光デバイスの劣化 上田 修
電子励起で促進される転位運動 前田康二・竹内 伸
半導体における再結合促進不純物拡散 植松真司・和田一実
シリコン中の水素 −炭素複合体の光誘起分解反応 上浦洋一
Z.電子励起非平衡固体の新しい展開
GaAsの損傷の少数キャリヤ注入による消去 和田一実・中西秀男・Bude金田光加
半導体の超拡散(電子ビームドーピング) 和田隆夫
電子線励起化学ビーム成長 荒川泰彦・高橋琢二
水素吸着によるシリコン表面の動特性 上田一之
電子励起によるU-Y族結晶と歪超格子の欠陥生成 田口常正

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