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Vol.56 (2021)
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「固体物理」&「金属物理セミナー」 別冊特集号 (1993.4)
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電子励起による非平衡固体ダイナミックス ――新物質科学の創出に向けて――
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編集責任者:篠塚雄三・吉田 博 定価 4,400円(本体価格 4,000円+税10%) B5判・216ページ |
| 序文 | 篠塚雄三・吉田 博 |
T.総論 | 電子励起による非平衡固体の世界 | 萱沼洋輔・篠塚雄三 |
| 局所密度汎関数法の成功と限界 | 押山 淳 |
| 励起電子はどのようにして格子を歪ませ,安住の巣を作るか? ――低次元系における特異性 | 住 斉 |
U.イオン性結晶 | アルカリハライドの光誘起欠陥生成 | 神野賢一・谷村克己 |
| SR光によるアルカリハライドからの原子放出 | 鎌田雅夫・広瀬サユミ |
| ハロゲン銀微結晶の潜像形成過程 | 神前 熈 |
V.アモルファス半導体 |
| アモルファスシリコンの光誘起構造変化 | 山崎 聡・田中一宜・磯谷順一 |
| カルコゲナイドガラスの光誘起構造変化 | 田中啓司・川口 健 |
| アモルファス半導体の光誘起原子移動 ――フォトドーピングと光誘起結晶化 | 井上恒一・松田 理・邑瀬和生 |
| アモルファスC:H膜の光誘起効果 | 打木久雄・飯田誠之 |
| SiO2の電子励起誘起欠陥生成 | 谷村克己・伊藤憲昭 |
W.有機物,高分子 | 緩和励起子凝縮としての光誘起相転移 | 豊沢 豊 |
| 有機固体中での光誘起相転移 | 腰原伸也・十倉好紀 |
| フォトクロミック高分子の光構造変化 | 入江正浩 |
X.半導体点欠陥 | 非平衡ドーピングと半導体中不純物の準安定性 | 村上浩一 |
| GaAsのEL2 | 田島道夫 |
| AlGaAs中のDXセンター | 望月康則・水田正志 |
| ワイドギャップ半導体のp型ドーピングと電子励起による新物質科学 | 吉田 博・佐々木泰造・小口多美夫 |
Y.半導体での転位・欠陥反応 |
| V-X族発光デバイスの劣化 | 上田 修 |
| 電子励起で促進される転位運動 | 前田康二・竹内 伸 |
| 半導体における再結合促進不純物拡散 | 植松真司・和田一実 |
| シリコン中の水素−炭素複合体の光誘起分解反応 | 上浦洋一 |
Z.電子励起非平衡固体の新しい展開 |
| GaAsの損傷の少数キャリヤ注入による消去 | 和田一実・中西秀男・Bude金田光加 |
| 半導体の超拡散(電子ビームドーピング) | 和田隆夫 |
| 電子線励起化学ビーム成長 | 荒川泰彦・高橋琢二 |
| 水素吸着によるシリコン表面の動特性 | 上田一之 |
| 電子励起によるU-Y族結晶と歪超格子の欠陥生成 | 田口常正 |
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